公开了一种半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法，该器件包括第一和第二半导体元件、第一和第二外部连接端子以及密封构件。第一外部连接端子设置在第一半导体元件的第一表面。第二半导体元件设置在第一半导体元件的第二表面侧，该第二表面...

一种半导体存储装置，包括：第一和第二n阱；第一和第二p沟道存储晶体管，分别形成在第一和第二n阱中的；以及位线，连接至第一p沟道晶体管的漏极和第二p沟道存储晶体管的漏极；在编程该半导体存储装置时，将第一电压施加到第一位线，将第二电压施加到...

公开了一种PLL电路，包括根据电荷泵的输出电流生成控制电压的低通滤波器。低通滤波器包括存储与电荷泵的输出电流相应的电荷的前级电路部分，以及通过接收存储在前级电路部分中并从前级电路部分转移来的电荷来生成控制电压的后级电路部分。另外，前级电...

本发明涉及输出电路。输出电路（11A）具有串联连接在电源端子（T1）与输出端子（To）之间的电流源（TP4）以及第1MOS晶体管（TN1）。上述第1MOS晶体管（TN1）的背栅与第2MOS晶体管（TP5）的漏极连接。上述第2MOS晶体管...

一种电源电路，包括在输入端子与基准电源之间的第一和第二开关；在输出端子与节点之间的电感，所述节点在第一和第二开关之间，耦接至输出端子的主电容，位于电感与输出端子之间的主开关，通过子开关耦接至电感与主开关之间的节点的子电容，以及控制电路。...

本发明提供电源装置及电源的控制方法，在CCM区域稳定地进行动作且提高输出电压的电压精度。电源装置包括线圈（L）、在线圈内蓄积能量的第一开关电路（T1）、分别连接线圈和多个输出端子（Po1、Po2）的多个第二开关电路（T3、T4）。第一控...

本公开提供了总线电路和半导体装置。一种用于将从一个模块输出的多位数据传输到另一个模块的总线电路包括：数据总线；分割电路，被配置为将所述数据分割为多个包括多个位的分割数据，所述多个位的数目等于或小于所述数据总线的位宽度的一半；反相器电路，...

本发明提供一种错误响应电路、半导体集成电路以及数据传输控制方法。在错误响应电路中，分析电路单元对从第一电路区段传送至第二电路区段的命令进行分析，并且检测第一电路区段与第二电路区段之间的数据传输的状态。响应电路单元依照所检测到的数据传输的...

一种半导体器件，包括：第一场效应晶体管（31），具有被赋予第一电位的一个端子；第二场效应晶体管（32），具有被赋予小于第一电位的第二电位的一个端子；控制器（1），控制第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的每一个控制端子的每一个电位；电容元...

本发明涉及模数转换器（ADC）和校正电路及其校正方法。根据本发明的ADC包括：ADC通道，以时间交织方式将模拟输入信号转换成数字输出信号；通道组合器，组合ADC通道分别输出的通道数字信号并且生成数字输出信号；自适应滤波器，设置在多个AD...

本发明公开了一种非易失性锁存电路和存储设备，该非易失性锁存电路包括：锁存电路部；电荷吸收电路部；以及第一铁电体电容器，具有连接到板线的第一电极和连接到电荷吸收电路部的第二电极，其中，当将信息从第一铁电体电容器读取到锁存电路部时，操作板线...

本发明提供了一种数模（D/A）转换器（10），其包括D/A转换电路（11、13）以及耦接在D/A转换电路（11、13）之间的放大器电路（60）。每个D/A转换电路均包括：R-2R梯型电阻器网络（20、40）；第一晶体管，耦接在电阻器网络...

本发明提供了一种存储器设备、存储器控制器和存储器系统。该存储器设备具有：具有多个存储器单位区域的存储器单元阵列，其中每个单位区域由地址选择；多个输入/输出端子；以及前两者之间的输入/输出单元。每个存储器单位区域中存储有分别与多个输入/输...

一种激活信号生成电路，为脉冲信号的第一和第二激活信号被施加至该电路并且该电路生成内部激活信号，其具有第一延迟元件。基于第一和第二激活信号的前（激活转换）沿的定时来激活内部激活信号。当第一激活信号的后（未激活转换）沿的定时早于第二激活信号...

一种开关稳压器控制向电感器提供电流的输出晶体管并且从第一供电电压生成第二供电电压。该开关稳压器具有：误差放大器，其放大第二供电电压和参考电压之间的差；电流感测放大器，其将电感器电流转换成电压；电流比较器，其比较误差放大器和电流感测放大器...

本申请公开一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件的实施例包括：电子渡越层；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；二维电子气抑制层，形成在电子供应层的上方；绝缘膜，形成在二维电子气抑制层和电子渡越层的上方；以及栅极电极，形成...

本发明提供一种储存体，所述储存体包括：带，形成有凹部，所述凹部沿厚度方向下压，并沿着带长方向间隔形成；以及盖，其叠加在所述带上，并封闭凹部的开口。所述盖通过中间固定部和一对侧面固定部被固定到所述带。中间固定部形成在互相相邻的凹部之间。该...

本发明公开了电熔丝。一种电熔丝包括被形成在绝缘材料的上表面上的导电材料。该导电材料包括接线部分以及第一和第二端子部分，第一和第二端子部分被布置在接线部分的两端以使得接线部分位于第一和第二端子部分之间。第一端子部分、接线部分和第二端子部分...

本发明公开了一种半导体器件以及用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：栅电极，形成在第一导电类型的半导体衬底的第一区域上方；第一导电类型的源极区和漏极区，形成在栅电极的两侧；第二导电类型的沟道掺杂层，至少形成在沟道区的源极区侧的区域...

一种半导体器件，包括：衬底，其中限定有产品区和包围所述产品区的划片区；第一绝缘膜，形成在所述衬底上方；第一金属膜，位于所述第一绝缘膜中，所述第一金属膜以包围所述产品区的方式布置在所述划片区中；第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜和所述第一金...