本实用新型提供了一种半导体器件、存储器。在本实用新型提供的半导体器件中，位线接触塞形成在有源区上并且还局部形成在栅极沟槽中的绝缘材料层上，以使得位线接触塞能够与有源区充分接触，即使在位线接触塞中形成有空隙，仍然能够确保位线接触塞与有源区...

本实用新型提供了一种存储器及其形成方法。本实用新型提供的存储器中，形成在字线沟槽中的介质材料层具有上层部和下层部，并且在沟槽隔离结构中和在有源区中，介质材料层的上层部的厚度均大于下层部的厚度。如此，即能够改善字线和有源区之间的漏电流现象...

本实用新型提供了一种半导体结构。通过在互连结构的第一接触垫的侧边设置第二接触垫，如此，则在制备互连结构时，通过图形化处理以形成第一接触垫并不是孤立的暴露在一较大的空间区域中，而是在第二接触垫的保护下，避免了第一接触垫被过度解析的问题，有...

本实用新型提供了一种半导体器件。半导体器件中具有不同开口尺寸的第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽，并根据不同的开口尺寸对应调整填充在第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽中的绝缘材料。如此，即实现了半导体器件中沟槽隔离结构的多样...

本实用新型公开了一种半导体对位结构及半导体基板，包括：衬底结构；位于衬底结构的生长面上的至少一个对准标记，及围绕对准标记的围绕结构；对准标记在平行生长面的截面图案的至少一边，与同一平面上对位坐标轴的x轴和y轴均有倾斜角。对准标记在平行生...

本发明公开一种半导体器件，其包括第一管线、第二管线、第一阀门、第二阀门以及第一真空腔室。第一管线与第二管线分别连接于第一阀门与第二阀门，而第一真空腔室则设置于第一阀门与第二阀门之间。第一真空腔室还设置有一压力传感器，由此，可利用所述压力...

本实用新型公开了一种浅沟槽隔离结构及半导体器件，包括：具有一顶部的衬底；位于所述衬底的顶部一侧至少有一个沟槽；沿所述沟槽的内壁依次有第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中，所述第一介电层的顶部低于所述第二介电层的顶部和所述衬底的顶部，...

本实用新型提供了一种存储器。通过将节点接触部进一步延伸至衬底中，以和有源区电性连接，从而增加了节点接触部和有源区之间的接触面积，并使得节点接触部可以和高离子浓度的区域实现电性连接，基于此，即使在节点接触部中形成有空隙，仍能够维持节点接触...

本实用新型提供了一种半导体结构。通过将电性传导结构设置在沟槽隔离结构上，以利用沟槽隔离结构上方的空间，从而可以缩减电性传导结构在整个半导体集成电路中所占用的空间，进而有利于实现所构成的半导体集成电路的尺寸缩减。

本发明公开了一种半导体对位结构及半导体基板，包括：衬底结构；位于衬底结构的生长面上的至少一个对准标记，及围绕对准标记的围绕结构；对准标记在平行生长面的截面图案的至少一边，与同一平面上对位坐标轴的x轴和y轴均有倾斜角。对准标记在平行生长面...

本发明公开了一种半导体存储器件，其位线为多层结构，包含下层导电材料、中层导电材料、上层导电材料以及顶层硬掩模层；所述下层导电材料与中层导电材料、上层导电材料依次叠加形成多层导电结构，在半导体衬底中还具有位线接触凹槽，所述位线位于半导体衬...

本实用新型提供一种电子元件结构，该电子元件结构至少包括：衬底和位于其上的有源区；位于有源区上的栅极结构；栅极结构自下而上依次由多晶硅层、金属层、第一硬掩膜及第二硬掩膜层叠而成；设于栅极结构侧壁的第一、第二侧墙；第一、第二侧墙的顶部相互错...

本实用新型公开了一种半导体元件，包括：包括多个有源区的半导体衬底，第一凹槽形成在有源区中并延伸到两侧的浅沟槽隔离中；各位线包括由底部导电材料层和顶部导电材料层形成的叠加结构；在第一凹槽中形成有由底部导电材料层组成的第一接触插塞，第一接触...

本发明公开了一种位线结构及半导体存储器，包括：基底；位于所述基底上的多条位线，其中，所述位线包括自所述基底起依次叠加设置的接触层和导线层，所述接触层在所述基底上的垂直投影位于所述导线层在所述基底上的垂直投影内，且所述接触层的在横截面的宽...

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构及半导体器件，包括：具有一顶部的衬底；位于所述衬底的顶部一侧至少有一个沟槽；沿所述沟槽的内壁依次有第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中，所述第一介电层的顶部低于所述第二介电层的顶部和所述衬底的顶部，使所...

本申请公开了一种半导体存储元件的制造方法及该元件，属于半导体技术领域。所述方法包括：在衬底上形成位线结构以及所述位线结构周侧的沟槽；在衬底和位线结构表面沉积第一隔离层，第一隔离层包括氮化硅和碳氮化硅；通过湿法刻蚀工艺对第一隔离层进行减薄...

本发明公开了一种确定凹槽深度方法，该方法通过获取待测凹槽的二维图像，确定二维图像中灰度值在预设范围内的暗点的数量，再基于预先构建的表征暗点数与凹槽深度的关系的曲线，根据暗点数和凹槽深度之间的对应关系，得到相应的凹槽深度，从而测量出凹槽的...

本发明涉及浅沟槽隔离结构及半导体器件，所述浅沟槽隔离结构形成于衬底内，其包括：第一部，其具有从衬底的表面延伸至衬底内的第一深度处的第一侧壁，第一侧壁相对于衬底的表面具有第一斜率，且一侧壁的表面具有第一粗糙度；以及第二部，其具有从第一深度...

本实用新型公开一种半导体器件，其包括第一管线、第二管线、第一阀门、第二阀门以及第一真空腔室。第一管线与第二管线分别连接于第一阀门与第二阀门，而第一真空腔室则设置于第一阀门与第二阀门之间。第一真空腔室还设置有一压力传感器，由此，可利用所述...