本发明提供了一种DRAM的操作方法，被操作的DRAM的每个所述存储阵列片包括多条字线和多个按阵列排布的存储单元，每个所述存储单元具有相互独立的第一栅极和第二栅极，在读和/或写时，向同一个所述存储阵列片中所有的第一栅极均施加第一电压，并向...

本发明提供了一种对位标记和半导体结构的形成方法、组合掩模版。通过组合使用第一掩模版和第二掩模版，以界定出对位标记的图形，从而使得所形成的对位标记的结构更为复杂且精度更高，进而基于该对位标记执行光刻工艺时，即有利于提高光刻工艺的对准精度，...

本发明公开了一种栅极结构，包含一有源区、一第一介电层位于所述有源区上且位于栅极图案两侧的边缘部位、一第二介电层位于所述栅极图案中间的所述有源区上以及所述栅极图案两侧的边缘部位的所述第一介电层上，其中所述第二介电层位于所述第一介电层上的部...

本发明公开了一种栅极结构，包含一有源区、一第一栅极介电层位于所述有源区上、遮蔽层位于所述第一栅极介电层上且分别位于所述栅极结构两侧的边缘部位、一第二栅极介电层共形地位于所述第一栅极介电层与所述遮蔽层上、一栅极导电层位于所述第二栅极介电层...

本实用新型提供了一种半导体结构。通过使栅极结构侧边的衬底呈现为台阶状，从而使得金属硅化物层能够形成在源漏区其位于最低台阶的台面上，进而能够将金属硅化物层内陷在衬底的较深位置中，增加了金属硅化物层和栅极结构之间的距离。如此，即可有效改善在...

本实用新型提供了一种存储器。将字线的端部延伸至周边区中，并将接触插塞形成在周边区中以和字线的端部电性连接。如此一来，不仅可以充分利用周边区的空间，并且在周边区中制备接触插塞，还有利于增大各个接触插塞的尺寸，有效降低接触插塞的制备难度，相...

本实用新型提供了一种存储器。将字线的端部延伸至周边区中，并将接触插塞形成在周边区中以和字线的端部电性连接，从而可以充分利用周边区的空间以在周边区中制备接触插塞，有利于增大各个接触插塞的尺寸，此时还有利于进一步实现接触插塞不仅能够与字线的...

本实用新型提供了一种存储器。通过使多个节点接触部中位于边缘位置的第一接触部具有绝缘接触柱，从而使第一接触部和对应的有源区(即，位于边缘位置的有源区)之间为电性绝缘，进而使得所形成的位于边缘位置的存储单元构成非功能性存储单元。如此，即避免...

本发明公开了一种半导体结构，包括衬底，所述衬底上有一鳍状结构，浅沟槽隔离结构，位于所述衬底中，其中所述浅沟槽隔离结构具有一阶梯状顶面，并具有第一顶面以及高于所述第一顶面的第二顶面，以及一栅极结构，跨越部分所述浅沟槽隔离结构以及部分所述鳍...

本发明公开了一种半导体存储器件与其制作方法。其中，半导体存储器件包括一半导体基板、字线结构，位在所述半导体基板中、位线结构，位在所述字线结构之上并跨过所述字线结构、间隔物结构，位在所述字线结构正上方并介于所述位线结构之间、存储节点接触结...

本发明提供了一种存储器及其形成方法。利用相邻的位线界定出沿着第一方向延伸的凹槽，并使凹槽的底部还整体内陷至衬底中以形成下沟槽，以及在凹槽中依次排布多个接触插塞，并在相邻的接触插塞之间设置隔离柱以分隔相邻的接触插塞。由于下沟槽整体内陷至衬...

本发明公开了一种半导体结构，包含衬底，复数个接触结构，位于所述衬底上，一组第一图案位于所述接触结构上方，其中所述第一图案包含有复数条第一曲线图案，以及一组第二图案与所述第一图案位于同一平面，其中所述第二图案包含有复数条第二曲线图案，其中...

本发明公开了一种动态随机存取存储器的制作方法，包括提供一衬底，其包括多个有源区以及一隔离结构包围所述多个有源区。接着于所述衬底上形成一位线堆叠层，其中所述位线堆叠层包括一硅层。然后图案化所述位线堆叠层以形成多条位线，以及于所述位线的所述...

本实用新型提供了一种存储器。将字线的端部延伸至周边区中，并将接触插塞形成在周边区中以和字线的端部电性连接，从而可以充分利用周边区的空间以在周边区中制备接触插塞，有利于增大各个接触插塞的尺寸，有效降低接触插塞的制备难度，相应的提高了接触插...

本发明提供了一种存储器及其形成方法，衬底包括若干沿第一预定方向延伸的有源区；所述衬底形成有多条且沿着第二预定方向延伸并穿过相应的有源区的位线结构，所述位线结构位于所述衬底上的部分构成第一位线结构，所述位线结构自所述衬底上延伸至所述有源区...

本发明公开了一种半导体存储器件与其制作方法。该半导体存储器件包括：一半导体基板；字线结构，位在所述半导体基板中并往第一方向延伸；位线结构，位在所述字线结构之上并往第二方向延伸跨过所述字线结构；间隔物结构，位在所述字线结构正上方并介于所述...

本实用新型提供了一种存储器。通过使位线组中位于边缘位置的第一位线的宽度尺寸大于排布在内的第二位线的宽度尺寸，从而在制备位线组时，不仅可以保障第一位线的形貌，并且在宽度较大的第一位线的阻挡保护下，还可以提高第二位线的形貌精度，进而有利于提...

本实用新型提供了一种存储器。通过将每一排填充在最边缘且紧邻的两个节点接触窗中的两个节点接触部相互连接，以构成尺寸较大的组合接触部，从而在制备节点接触部时，即能够有效保证边缘位置的组合接触部的形貌，并且在宽度较大的组合接触部的阻挡保护下，...

本发明提供了一种存储器及其形成方法，多个节点接触结构形成在衬底上，且节点接触结构中形成有气隙，节点接触结构通过开口电性隔离，开口和所述气隙连通，绝缘层至少填充所述开口。本发明中，开口和气隙连通，绝缘层至少填充开口，如此一来，气隙可以保留...

本发明提供了一种存储器及其形成方法。利用位线和隔离侧墙构成第一分隔线，并进一步结合第二分隔线界定出节点接触窗，以及第一分隔线和第二分隔线的侧壁上还形成有绝缘层，从而可允许用于构成第一分隔线的隔离侧墙上可以形成有侧向凹陷。基于此，即可以采...