本技术公开了半导体器件，包括衬底以及存储节点焊盘结构。存储节点焊盘结构设置在衬底上，包括多个第一延伸垫以及多个第二延伸垫。多个第一延伸垫相互分隔地沿着排列成一阵列，多个第二延伸垫相互分隔地设置在所有的第一延伸垫的外侧，其中，各第二延伸垫...

本发明提供了一种半导体存储器的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，先在衬底上依次形成支撑堆叠层、第一掩膜层及位于第一区内的通孔，然后去除所述第一区上的所述第一掩膜层，以露出所述第一区中的所述支撑堆叠层，之后再依次形成下电极及位于...

本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过先在基底上形成多层介质层(如第一介质层)，然后在不同的介质层中依次形成深度、宽度不同的凹槽和通孔，并沿着所述通孔去除部分所述介质层，从而形成由剩余的多层介质层及...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：衬底；设于所述衬底上的栅极结构；设于所述栅极结构两侧的源漏结构，所述源漏结构凸出于所述衬底的表面；第一侧墙，覆盖所述栅极结构部分侧壁，所述第一侧墙与所述源漏结构之间设有间隙；第...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，利用原子层沉积工艺的成膜均匀性，可在相邻位线结构之间的第一间隔内形成厚度均匀的第一连接垫层及相应的连接垫结构，且随着半导体结构尺寸的微缩，在深宽比逐渐增大的相邻位...

本发明提供了一种半导体存储器的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，先形成具有通孔的堆叠结构层，然后在所述通孔内形成下电极，并移除部分的所述支撑堆叠层和部分的所述第一硬掩模层，之后再移除剩余的所述第一硬掩模层，以暴露出所述支撑堆叠...

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括源极、漏极、闸极、通道结构、支撑层以及闸极电介质层。漏极与源极在垂直方向上堆叠设置，闸极设置在漏极与源极之间。通道结构部分设置在闸极内，并连接漏极与源极。支撑层设置在通道结构的侧壁上。闸极电介...

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底具有阵列区和周边区，周边区中形成有多个第一隔离结构，第一隔离结构定义出周边区中的多个第一有源区；对第一有源区执行离子注入工艺，形成离子注入区；形...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底、若干源极线、若干通道材料柱、若干栅极结构和若干漏极结构，其中若干源极线位于衬底上，若干源极线沿第一方向延伸且沿第二方向彼此间隔排列；若干通道材料柱位于若干源极线上且与源极线连接；栅极结...

本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：衬底；第一接触层，设置在衬底上；栅极结构，设置在第一接触层上；隔离层，设置在栅极结构上；导电沟道，贯穿隔离层、栅极结构设置在第一接触层上；绝缘层，设置在导电沟道的内侧；蚀刻停止层，位...

本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；沟槽隔离结构，设置在衬底中，与至少一个有源区相邻设置；栅极堆叠结构，设置于衬底上并与沟槽隔离结构接触，栅极堆叠结构中的第一部分位于沟槽隔离结构上，栅极堆叠结构中的第二部分位于有源区上；...

本申请公开了一种半导体结构，包括：衬底；多个有源图案位于衬底上，分别沿着第一方向延伸，并沿着第二方向间隔排列；其中，有源图案的方向与第三方向的夹角位于第一预设角度范围内，有源图案的方向为第一方向，第三方向为上述衬底的晶格方向，第一预设角...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过将半导体器件中的多个位线结构沿水平方向设置为交替排列且顶面位于不同水平高度的第一位线结构和第二位线结构，实现避免现有技术中顶面位于相同水平高度的位线结构随着半...

本申请公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底，浅沟槽隔离，和多个位线结构。衬底包括多个有源区。浅沟槽隔离设置在衬底中，包括高于衬底的表面的第一绝缘层和低于衬底的表面的第二绝缘层。位线结构设置在衬底上，至少包括导电层。至少一位线结构横跨有...

本技术公开了一种半导体器件，半导体器件包含：衬底，所述衬底包含一存储区以及一周边区；栅极结构，设置在所述周边区的所述衬底上；侧壁结构，设置在所述栅极结构的两侧和顶面上；第一介质层，设置在所述侧壁结构上；第二介质层，设置在所述第一介质层上...

本技术公开了一种半导体装置。半导体装置包括半导体衬底、堆叠结构和接触结构。半导体衬底包括隔离结构与隔离结构定义的有源结构，且有源结构包括至少一鳍状结构。堆叠结构设置在半导体衬底中，堆叠结构沿水平方向延伸跨过鳍状结构，且堆叠结构包括导电层...

本技术公开了一种半导体装置。半导体装置包括衬底、源极结构、半导体结构、栅极结构以及阻障图案。源极结构设置于衬底上，半导体结构在垂直方向上设置在源极结构之上，栅极结构设置在源极结构之上且在水平方向上围绕半导体结构。阻障图案在水平方向上设置...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成源极结构；形成多个材料柱，多个材料柱至少部分位于源极结构上；依次形成通道层和栅极介质层覆盖材料柱；形成牺牲层填充于每相邻两个材料柱之间；刻蚀去除相邻两个或部分相邻两个材料...

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；于衬底上依次形成源极和第一隔离层；于第一隔离层上形成间隔排布的栅极；形成覆盖栅极的第二隔离层；形成依次贯穿第二隔离层、栅极和第一隔离层11的通孔；通...

一种半导体结构，包括衬底，衬底包括单元区和周边区。周边区包括隔离结构。多个插塞结构设置在单元区和周边区上。绝缘结构介于插塞结构之间。电容结构设置在单元区的插塞结构上。插塞结构包括至少一个设置在周边区的隔离结构上的孤立插塞结构，其中绝缘结...