本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及集成电路设计及制造技术领域，其中，多个下电极位于衬底上；支撑层直接接触多个下电极的侧壁，支撑层包括一波浪状侧壁；多个开口位于相邻下电极之间，开口沿第一方向和第二方向间隔排布成阵列，开口具有第一尺...

本发明提供了一种图案化方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，利用非轴心结构调整相邻图案之间的间距，降低了制造成本并简化了制程工艺。

本技术公开了一种半导体器件，包括衬底、多个导线结构、电介质层、多个插塞结构、多个插塞结构、多个间隙壁以及阻隔层。衬底包括多个有源区与多个浅沟渠隔离。导线结构相互平行地延伸在衬底上，并与有源区与浅沟渠隔离交错。电介质层设置在衬底上并包含一...

本申请涉及一种半导体结构、形成图案的方法和半导体存储装置，涉及集成电路技术领域。一种形成图案的方法包括：形成刻蚀目标层；刻蚀刻蚀目标层，以形成环状预图案，环状预图案包括多条沿第一方向延伸、沿第二方向间隔排列的第一条状图案，以及多条沿第二...

本发明公开了半导体存储装置，半导体存储装置包括衬底、多个电容结构、应力绝缘层以及介面层。电容结构相互分隔地设置在衬底上，并包括多个电容。应力绝缘层设置在衬底上，覆盖电容结构。介面层设置于应力绝缘层内，介于任两相邻的电容结构之间，其中，介...

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底以及字线结构。衬底包括阵列区和围绕阵列区的外围区。衬底包括至少一被浅沟槽隔离结构所隔离的有源区。字线结构沿第一方向穿过浅沟槽隔离结构和有源区，且多个字线结构沿第一方向延伸且沿第二方...

本技术公开了一种半导体器件，包括衬底、多个插塞结构与多个栅极线结构、金属硅化物层、多个焊盘以及多个焊盘间隔。插塞结构与栅极线结构交替地设置在衬底上。金属硅化物层设置在插塞结构上并物理性接触插塞结构。焊盘设置在金属硅化物层上并物理性接触金...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底、电容阵列、第一支撑层和第二支撑层，电容阵列包括若干下电极，下电极均位于衬底上，第一支撑层位于电容阵列内的相邻两个下电极之间且与相邻两个下电极物理性接触，第二支撑层位于电容阵列的边界且与...

本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，基底的周边区和单元中的绝缘结构的形状和面积均可不同，从而达到不同的隔绝效果，避免部分绝缘结构发生剥落。

本发明公开了一种半导体结构，包括多个有源区设置在衬底上，多个栅极结构沿第一方向延伸且与有源区相交，将各有源区分成一个中间部和两个端部。多个位线结构沿第二方向延伸跨过有源区且与有源区的中间部电连接。位线结构包括外侧的第一位线结构，以及内侧...

本发明提供了一种图案化方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过增设掩膜层的方式，达到增大第一区中的图案密度，进而避免侧壁层发生倒塌的目的。

本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、第一栅极结构、第一外延结构以及第一间隙壁结构。衬底包括有源区和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离包括至少一凹槽。第一栅极结构设置在浅沟槽隔离上，包括依序堆叠的第一栅极电介质层和第一栅极层。第一外延结构设...

本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过对第一区和第二区上的导电层进行分步沉积，以满足第一区和第二区对导电层的总厚度不同的设计要求，再通过对第一区和第二区及第二区的第一导电层和第二导电层的部分区域进行...

本申请实施例提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括衬底，包括由浅沟槽隔离结构定义的有源区；多个字线结构，位于衬底中，字线结构跨过有源区并在第二方向上延伸；多个位线结构，位于衬底上，并且在与第二方向相交的第一方向上延伸，...

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括衬底、位线结构、闸极结构、蚀刻停止层以及层间电介质层。衬底包括第一区和第二区。位线结构设置在衬底上并位于第一区内。闸极结构设置在衬底上并位于第二区内。蚀刻停止层设置在衬底上，覆盖位线结构的顶面...

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括衬底，多个第一下电极位于所述衬底上，所述多个第一下电极在互不垂直的第一方向、第二方向和第三方向上排列成阵列，各所述第一下电极的外轮廓为圆形，多个第二下电极位于所述衬底上，所述第二下电极的外轮廓...

本发明提供了一种图案的测量方法及调整方法中，包括：通过多次曝光工艺在子区域上形成多个间隔排列的条形图案，然后以条形图案为间隔将子区域中相邻条形图案之间的间距图形分成奇数列和偶数列，或者，将条形图案分为奇数列和偶数列；然后计算奇数列的尺寸...

本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过移除基底上的多个下电极中的至少一个下电极的部分高度的方式，形成多个下电极之间具有沿垂直方向上的高度差的半导体器件。

本申请公开了半导体器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。该半导体器件包括衬底、堆叠结构以及第一覆盖层。堆叠结构设置在衬底上，包括阵列部和第一阶梯部，其中，第一阶梯部具有沿第一方向逐渐递减高度的多个第一阶梯表面。第一覆盖层设置在堆叠结...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过改变相邻位线结构之间间隔的宽度，使得形成在不同相邻位线结构之间的连接垫结构在水平方向上的宽度不同，进而使得部分第二隔离结构发生位置偏移，以达到让部分相邻连接垫...