本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括衬底、多个导线结构、电介质层、多个插塞结构、多个插塞结构、多个间隙壁以及阻隔层。衬底包括多个有源区与多个浅沟渠隔离。导线结构相互平行地延伸在衬底上，并与有源区与浅沟渠隔离交错。电介质...

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括衬底、位线结构、间隙壁以及隔离结构。衬底包括单元区和周边区。位线包括分别位在单元区和周边区的第一位线和第二位线，第二位线位于第一位线的短端部一侧。间隙壁设置在第一位线和第二位线之间且分别物理性...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底、第一电连接件、第二电连接件、栅极、栅介质层、通道层、隔离结构和金属结构层，其中，衬底上形成有第一绝缘结构层，第一电连接件和第二电连接件沿第一方向交替排布于第一绝缘结构层中；栅极位于第一...

本发明公开了半导体结构及其制作方法，包括焊盘阵列。焊盘阵列包括多个第一焊盘、第一焊盘边界、第二焊盘边界、第二焊盘及第三焊盘。第一焊盘相互隔离分开设置。第一焊盘边界设置在焊盘阵列的一侧，包括多个第一分支焊盘。第二焊盘边界设置在与第一焊盘边...

本发明公开了一种半导体装置以及其制造方法。半导体装置包括衬底、源极结构、半导体结构、栅极结构以及阻障图案。源极结构设置于衬底上，半导体结构在垂直方向上设置在源极结构之上，栅极结构设置在源极结构之上且在水平方向上围绕半导体结构。阻障图案在...

本发明公开了一种半导体器件，其包含衬底、第一金属层位于所述衬底上、第一介电层位于所述第一金属层上、双镶嵌金属结构穿过所述第一金属层与所述第一介电层且部分位于所述衬底内、氧化半导体层位于所述双镶嵌金属结构与所述第一金属层之间、金属氧化物层...

本发明提供了一种光学临近校正方法，包括：提供一目标版图，所述目标版图包括具有至少一拐角的图案，所述拐角包括两边；在所述拐角加入辅助版图，所述辅助版图具有一阶梯状边界；将所述辅助版图的至少部分的所述阶梯状边界合并，以获得修正图案，所述修正...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底；源极结构位于衬底上，第一隔离材料层和第二隔离材料层由下至上依次堆叠于源极结构上；栅极结构位于第二隔离材料层上，且栅极结构内设置有贯穿栅极结构的通孔，且通孔还贯穿第二隔离材料层和第一隔离...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括源极结构；第一介质层位于源极结构上；漏极结构位于第一介质层上；第二介质层位于漏极结构上；通道结构，其穿过第二介质层、漏极结构、第一介质层并延伸至源极结构的上部。栅极结构，位于第二介质...

本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、多个插塞、存储节点焊盘结构、多个第一延伸垫、边界延伸垫、多个第二延伸垫以及多个第三延伸垫。插塞及存储节点焊盘结构设置在衬底上。第一延伸垫相互分隔地排列成一阵列，电性连接各插塞。边界延伸垫设置...

本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、多个存储节点焊盘以及电容结构。衬底包括周边区，存储节点焊盘相互分隔地在衬底上排列成一阵列。电容结构位在衬底上，且包括排列成一阵列的多个电容，其中至少两个电容在平行于衬底的方向上物理性接触。如此，通过...

本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、延伸垫阵列以及围堤结构。延伸垫阵列设置在衬底上，包括多个延伸垫相互在第一方向与第二方向分隔排列。围堤结构设置在延伸垫阵列的外侧，包括多个第一突出部，以及与所述第一突出部相接触的多个第二突出部...

本发明提供了一种半导体器件，包括衬底及位于所述衬底上的第一隔绝层，所述第一隔绝层内相互分隔地设置有多个第一导电图案，所述第一导电图案的顶面露出所述第一隔绝层；所述第一隔绝层及所述第一导电图案上具有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层上具有第二隔绝...

本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括衬底，有源区阵列由浅沟隔离定义在衬底中，栅极沟槽设置在衬底中并跨过有源区阵列，其中在所述第二方向上最外侧的栅极沟槽为外侧沟槽，其余为内侧沟槽。第一导体层填充在内侧沟槽的下部。第一盖层...

本发明提出了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成氧化物掩膜层；基于所述氧化物掩膜层，对所述衬底进行第一干法刻蚀，形成沟槽；对所述衬底、所述氧化物掩模层进行湿法清洗，得到至少一粘连结构，所述粘连...

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有若干条位线，位线的侧壁形成有侧墙结构，侧墙结构包括氧化层；形成第一牺牲层填充于相邻位线之间，且第一牺牲层的顶部低于位线的顶部；形成第二牺牲层位于第一牺牲层上，第二牺牲层暴...

本申请提供一种金属互连结构及半导体器件，该金属互连结构包括依次叠层设置的衬底、刻蚀停止层和保护层；贯穿所述保护层和所述刻蚀停止层的接触孔；其中，所述接触孔包括贯穿所述保护层并延伸至所述刻蚀停止层内的第一部分，以及设置于所述刻蚀停止层内并...

本技术公开了一种半导体器件，属于半导体器技术领域，所述半导体器件包括衬底、第一衬垫层、第二衬垫层及连接层。第一衬垫层与第二衬垫层在垂直方向上堆叠设置在衬底上。连接层的至少一部分设置在第一衬垫层与第二衬垫层之间，其中，第一衬垫层、第二衬垫...

本技术公开了半导体器件，包括源极、漏极、闸极、底电介质层、闸极电介质层、通道结构以及金属氮化物层。漏极与源极在垂直方向上堆叠设置，闸极设置在漏极与源极之间。底电介质层设置在源极与闸极之间。通道结构设置在漏极与源极之间并电性连接漏极与源极...

本发明提供了一种晶圆聚焦区域的选择方法及操作界面系统，包括：提供晶圆版图，晶圆版图包括图形定义区和非图形定义区；根据图形定义区和非图形定义区设置多个曝光区域；模拟检测图形定义区的曝光聚焦信息，获得图形定义区中不具有曝光聚焦信息的区域作为...