本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述外延层中形成有第一掺杂区、位于所述第一掺杂区中的第二掺杂区以及位于所述第二掺杂区中的第三掺杂区，所述外延层表面形成有暴露部分所述第三掺...

本申请提供一种碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底表面形成有第一碳化硅外延层，所述第一碳化硅外延层中形成有沟槽；第二碳化硅外延层，位于所述沟槽底部和侧壁以及所述第一碳化硅外延层表面；掺杂层，位于部分所述...

本申请提供一种碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底表面形成有第一碳化硅外延层，所述第一碳化硅外延层中形成有沟槽；第二碳化硅外延层，位于所述沟槽底部和侧壁以及所述第一碳化硅外延层表面；晶体管结构，位于所述...

本申请提供一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层包括相互垂直的x方向和y方向，所述碳化硅外延层中形成有分别沿x方向和y方向...

本申请提供一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中形成有栅极沟槽；第二高掺杂区，位于靠近所述栅极沟槽顶部的侧壁的部分碳化硅...

本申请提供一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层包括相互垂直的x方向和y方向，所述碳化硅外延层中形成有分别沿x方向和y方向...

本申请提供一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中形成有栅极沟槽；氧化层，位于所述栅极沟槽底部和侧壁以及所述碳化硅外延层表...

本申请提供一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中形成有栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底部和侧壁的第一栅极介质层以及填满所述栅极沟槽的第一绝缘填充层；...

本申请技术方案提供一种SiC MOSFET驱动电路，包括：输出侧逻辑控制模块，用于输出n路同向端控制电压和m路反向端控制电压，n、m≥1；阶梯波形电路，包括运算放大器、n个同向端电阻、m个反向端电阻、连接在所述运算放大器的输出端和反向输...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层表面形成有体掺杂层，所述体掺杂层表面形成有第一高掺杂层；位于所述第一高掺杂层中暴露所述体掺杂层表...

本申请提供一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层表面形成有第一高掺杂区以及贯穿所述第一高掺杂区延伸至所述碳化硅外延层中的沟...

本申请提供一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层表面形成有第一高掺杂区以及贯穿所述第一高掺杂区延伸至所述碳化硅外延层中的沟...

本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的外延层中形成有阱区，所述第二区域的外延层表面形成有场氧化物层，所述阱区表面形成有栅极结构；层间...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中包括栅极沟槽；栅极氧化层，位于所述栅极沟槽的底部和侧壁；至少一层高介电常数材料层以及至少一层绝...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中包括栅极沟槽；富碳掺杂层，位于所述栅极沟槽底部的部分碳化硅外延层中，所述富碳掺杂层为晶体形态，...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层的材料包括4H‑Si C，所述碳化硅外延层表面形成有体掺杂层；第一高掺杂区，位于所述体掺杂层中；...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层的材料包括4H‑Si C，所述碳化硅外延层表面形成有体掺杂层；高掺杂区，位于所述体掺杂层中，所述...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底部的第一掺杂层；位于所述栅极沟槽侧壁和所述第一掺杂层表面的栅极介质层；贯穿...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的外延层中形成有阱区，所述第二区域的外延层表面形成有场氧化物层，所述阱区表面形成有栅极结...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底部的第一掺杂层；位于所述栅极沟槽侧壁的栅极介质层；依次位于所述第一掺杂层表...