度亘激光技术苏州有限公司专利技术

度亘激光技术苏州有限公司共有163项专利

  • 本申请涉及一种导热结构及其制备方法、间接导热结构。导热结构焊接于半导体激光器,并对其进行散热。导热结构包括:在第二方向上层叠设置的第一助焊单元、第一金属单元、第一导热单元和基体。第一助焊单元在第一方向上的延伸长度大于或等于半导体激光器的...
  • 本发明提供一种侧泵模块封装方法及侧泵模块,涉及半导体技术领域,侧泵模块封装方法包括以下步骤:组装步骤:沿第一方向,将多个芯片和多个热沉依次交替设置,并在芯片与热沉之间设置焊料层,以使多个芯片、多个热沉和多个焊料层组装形成组装模块;遮挡步...
  • 本发明提供一种半导体激光器,涉及半导体技术领域,半导体激光器包括封装壳体、芯片、热沉和恒流源电路;所述芯片、所述热沉和所述恒流源电路均设置在所述封装壳体内;所述芯片包括第一电极和第二电极,通过所述第一电极的电流小于通过所述第二电极的电流...
  • 本发明提供一种激光器老化测试装置,涉及半导体技术领域,安装件上设有多个半导体激光器,将安装件与第一驱动组件连接后,可以一次性上料多个半导体激光器,并且在第一驱动组件和第二驱动组件的带动下,能够自动带动多个半导体激光器移动至预设位置,对多...
  • 本发明提供了一种垂直腔面发射激光器,涉及激光器的技术领域,包括:有源区结构以及位于有源区结构相对两侧的材料为Al
  • 本发明提供一种半导体激光器封装设备及方法,涉及半导体技术领域,半导体激光器封装设备包括夹具和遮挡组件;夹具用于固定热沉;夹具的顶面具有中心线;遮挡组件包括驱动机构、第一挡件和第二挡件;第一挡件和第二挡件分别与夹具的顶面相对设置,且第一挡...
  • 本实用新型涉及半导体激光器技术领域,具体涉及一种半导体激光器。本实用新型提供的半导体激光器包括底座、半导体制冷器、壳体和激光芯片;激光芯片设于壳体内,在半导体激光器运行时,激光芯片产生的热量传导至壳体,壳体与半导体制冷器的冷端相接触,通...
  • 本发明涉及激光器技术领域,具体涉及一种泵浦系统及泵浦系统调节方法。本发明提供的泵浦系统包括沿着光路依次设置的泵浦源、配光元件和激光晶体;其中泵浦源发出泵浦光,泵浦光包括偏振方向正交的P光和S光;而配光元件能够调整P光和S光的比例,因此针...
  • 本发明提供一种定位标记、掩膜板及光刻定位方法,涉及光刻技术领域,包括第一透明区、第二透明区和测距结构;所述第一透明区为弧形,所述第一透明区具有第一弧形边缘;所述第二透明区设置在所述第一弧形边缘朝向所述第一透明区外部的一侧,所述第二透明区...
  • 本发明提供了一种散热装置及激光器,涉及激光器的技术领域,该散热装置包括:上壳体和风冷机构,上壳体包括倾斜设置的安装台,沿前后方向,安装台的前端低于后端;沿前后方向,安装台的下表面间隔设置有多个翅片,且相邻两个翅片中,靠后侧的翅片的高度的...
  • 本申请涉及一种半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括:外延结构、电流注入区和非电流注入区。在外延结构的部分区域沿第一方向依次设置第一非电流注入区、第一电流注入区、第二电流注入区、第二非电流注入区。第一电流注入区和第二电流注入区的电流...
  • 本发明提供了一种封装方法及封装夹具,涉及激光器制备的技术领域,封装方法包括步骤:提供一封装夹具,封装夹具包括底座和盖板,底座的上表面具有定位凹槽,底座上设置有沿第一方向间隔设置在定位凹槽两侧的两个定位部;盖板的下表面上具有多条第二凹槽;...
  • 本实用新型提供了一种用于与分段式芯片匹配的热沉及激光器,涉及激光器的技术领域,用于与分段式芯片匹配的热沉,包括:基座,所述基座上具有第一正极和第二正极,所述第一正极用于与分段式芯片的激光区域对接;所述第二正极包括接触部和连续弯折的高阻结...
  • 本实用新型提供了一种用于与分段式芯片匹配的热沉及激光器,涉及激光器的技术领域,用于与分段式芯片匹配的热沉包括:导热部,所述导热部表面具有电隔离的第一正极和第二正极,所述第一正极用于与分段式芯片的激光区域对接,以使所述第一正极向激光区域注...
  • 本发明提供了一种激光波长测量装置及方法,涉及半导体激光器的技术领域,激光波长测量装置包括:夹具,夹具包括第一导电分流结构和第二导电分流结构,第一导电分流结构上设置有第一开口、第二开口、第三开口和第四开口,第一导电分流结构内部设置有连通第...
  • 本发明提供了一种负极片及激光器,涉及激光器的制备的技术领域,负极片包括:固定板部和活动板部,固定板部的下表面和活动板部的下表面平行,固定板部用于与绝缘片固定连接,活动板部用于与芯片的上表面连接;固定板部和活动板部之间通过活动组件连接,以...
  • 本发明提供一种腔面镀膜方法及半导体激光器,涉及镀膜技术领域,腔面镀膜方法包括以下步骤:在解理后的腔面上依次形成光分解材料层和热分解材料层;在芯片所处空间温度小于第一温度且避光条件下,将形成热分解材料层和光分解材料层的芯片转移至蒸镀腔室;...
  • 本发明提供了一种半导体激光器老化测试方法及装置,涉及半导体激光器老化测试的技术领域,方法包括步骤:步骤S1.统一检测,利用同一探测器对一个测试组内的多个待测试激光器的测试指标按照固定频率进行采样,并获得一阶采集数据,当一阶采样数据出现异...
  • 本实用新型提供一种芯片与胶膜分离用工具,涉及芯片加工技术领域。该芯片与胶膜分离用工具包括吸附盘和抽真空装置;吸附盘上设有多个凸出部,多个凸出部用于支撑胶膜;相邻两个凸出部和胶膜之间形成有空腔,吸附盘上设有气孔,抽真空装置通过气孔与空腔连...
  • 本发明提供了一种套刻对准方法及套刻模板组件,涉及半导体激光器制备领域。该方法包括:利用定标掩模版在晶圆上刻蚀得到第二基准孔以及多个第二定位孔;对晶圆表面进行图像采集,通过图像,在多个第二定位孔中选出一个作为第一标定孔,在后续的套刻过程中...
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