本实用新型提供的一种具有解理标记的基板，属于芯片解理技术领域，所述基板上具有适于使基板沿第一方向被解理的第一待解理区，所述第一待解理区沿所述第一方向延伸；光刻标示，包括至少一组标记，每组标记包括分设于所述第一待解理区两侧的图形，每侧的所...

本申请提供一种半导体器件拆卸装置及其拆卸方法，涉及半导体技术领域，包括基座和与基座连接的背板基体，基座和背板基体之间具有预设夹角，背板基体的第一表面设置有承托组件和承接组件，卡设有半导体器件的夹具设置于背板基体的第一表面，夹具设置于承托...

本发明提供了一种半导体结构的加工方法及半导体结构，涉及半导体结构加工技术领域，加工方法包括如下步骤：形成包括砷化镓部和铝镓砷部的叠层结构；在叠层结构的上表面形成掩模版；利用碱性溶液对砷化镓部进行刻蚀，在砷化镓部内形成贯穿砷化镓部的上部凹...

本发明提供了一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及半导体制备技术领域，半导体结构制备方法包括如下步骤：形成包括砷化镓层和铝镓砷层的叠层结构；在叠层结构的上表面形成掩模版；利用碱性溶液对砷化镓层进行刻蚀，形成贯穿砷化镓层的第一沟槽；利用...

本申请公开了一种辅助观察夹具，涉及夹具的技术领域。本申请的辅助观察夹具包括夹具本体、吸孔和负压抽风机，吸孔设于夹具本体上；负压抽风机具有连接管，与吸孔相连通，用于吸孔的抽负压。故本申请本申请通过负压抽风机对所述吸孔进行抽负压，从而可以将...

本发明公开了一种基板刻蚀方法，涉及半导体技术领域。基板刻蚀方法包括：在基板的表面设置多层掩模结构，并在多层掩模结构上形成沿基板和多层掩模结构的设置方向投影对应的多个开口；对基板与多个开口对应的局部表面进行第一预处理以去除局部表面的杂质；...

本发明提供一种砷化镓基半导体器件的制造方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法包括：将砷化镓基底放入酸溶液中进行清洗；向经过清洗的砷化镓基底表面通入流动的氨气，并使氨气进行等离子反应，以去除砷化镓基底表...

本发明涉及一种多区域半导体激光器(1)，用以降低激光器输出腔面的温度。

本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件及半导体组件，所述半导体器件的制造方法包括：外延生长形成半导体外延片；根据光刻脊条在所述半导体外延片上刻蚀出第一脊条结构；根据光刻窗口在所述半导体外延片上沉积出第二脊条结构，所述第二脊...

本申请涉及一种半导体制备方法、半导体结构和半导体器件。本申请的半导体制造方法，包括：获取一晶体外延结构，其中晶体外延结构包括本体结构、设于本体结构表面的脊形成层及设于脊形成层表面的欧姆接触层；刻蚀脊形成层和欧姆接触层，令脊形成层形成至少...

本申请涉及一种器件用热沉、半导体器件及器件用热沉的制备方法，本申请的器件用热沉包括：单晶碳化硅层、第一过渡层、第一金属堆叠层、第二过渡层和第二金属堆叠层，单晶碳化硅层具有两个相对设置的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面均为毛面；第一...

本申请提供一种半导体结构、半导体器件和半导体结构的制作方法，涉及半导体的技术领域。本申请的半导体结构包括芯片本体和多个谐振腔结构，芯片本体具有两个通光端面；多个谐振腔结构设置在芯片本体上。其中，每个谐振腔结构包括分别设于两个通光端面上的...

本实用新型提供一种治具及晶圆检测装置，包括上盖和底盘，底盘上设置与晶圆大小匹配的凹槽，上盖适于盖合在凹槽上，在上盖上划分出若干相邻的观察区域，所有观察区域拼合成与晶圆表面上的待检测部分大小相适配的形状，便于分别从各观察区域内观察放置在凹...

本申请实施例提供一种激光器及其制造方法，所述激光器包括：衬底，所述衬底上自下而上依次设置有第一限制层、量子阱和第二限制层；脊形成层，设置在所述第二限制层上，所述脊形成层包括多个波导结构，所述多个波导结构阵列式分布；欧姆接触层，设置在所述...

本申请公开了一种镀膜机观察结构，涉及镀膜设备的技术领域。本申请的镀膜机观察结构包括镀膜机本体、挡板、观察窗、转动玻璃和碎屑收集件，镀膜机本体具有壳体以及设于壳体内的镀膜腔，壳体上设有观察通道，观察通道具有第一开口端和与镀膜腔相通的第二开...

本申请公开了一种镀膜用容器，涉及镀膜用具的技术领域。本申请的镀膜用容器包括坩埚和衬锅，坩埚具有坩埚底盘和设于坩埚底盘的坩埚边框，坩埚边框围成坩埚容置空间；衬锅具有衬锅底盘和设于衬锅底盘的衬锅边框，衬锅设于坩埚容置空间中；其中，在装配状态...

本申请实施例提供一种激光器，所述激光器包括：第一波导结构，所述第一波导结构的一端设置有高反膜；第二波导结构，设置在所述第一波导结构的另一端，所述第二波导结构的入射端面为倾斜端面抗反射结构，所述第二波导结构的出射端设置有抗反膜；沟槽，设置...

本申请实施例提供一种外延层续长方法，所述外延层续长方法包括：将生长中断的外延片置于反应室中，通入保护气体；将所述反应室的温度升高至目标温度；通入刻蚀气体对所述外延片的生长中断层进行刻蚀；完成目标深度的刻蚀后，停止通入所述刻蚀气体；通入生...

本申请公开了一种有源区、半导体激光器及半导体激光器的制作方法，涉及半导体的技术领域。本申请的有源区包括量子阱结构，量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs，量子阱结构中势阱层的材料为GaAsN。故本申请的势垒层为压应变，势阱层为张应力...

本申请公开了一种衬底、半导体器件及半导体器件的制作方法，涉及半导体的技术领域。本申请的衬底的材料为In