本发明涉及一种发光二极管、发光二极管模块及其制作方法。发光二极管包括：非掺杂层；依次形成在非掺杂层上的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；开槽，从P型半导体层表面延伸到N型半导体层表面或延伸到N型半导体层中；P型欧姆接触层，形成...

本实用新型提供一种可变色温智能LED摄影闪光灯，包括微控制器以及与微控制器连接的发光装置、显示装置以及电源；所述发光装置包括微控制器连接的若干个具有不同色温的LED灯组；本实用新型用碳化硅基倒装大功率LED为代表的半导体发光器件代替传统...

本实用新型涉及一种使用二维衍生膜的氮化物LED外延片结构，包括初始衬底、二维衍生膜及氮化物外延层，所述二维衍生膜位于所述初始衬底及所述氮化物外延层之间，且所述二维衍生膜附着在所述初始衬底的表面上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上；...

本实用新型提供一种薄膜高压发光二极管，包括衬底、贴附于衬底之上的至少两个发光单元，每个发光单元下方具有复合金属层，所述复合金属层通过粘附层连接在所述衬底之上，所述复合金属层彼此不导通；每个发光单元的顶面通过一电学连接层与另一发光单元下方...

本实用新型涉及一种荧光转换植物生长灯单元、植物生长灯器件及植物生长灯，包括蓝光LED倒装芯片、红光荧光转换层及透明导光层，所述红光荧光转换层涂敷在所述蓝光LED倒装芯片上，所述透明导光层包敷在所述红光荧光转换层上。由于该植物生长灯使用了...

本实用新型涉及一种发光二极管以及包括其的发光二极管模块。发光二极管包括：非掺杂层；依次形成在非掺杂层上的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；开槽，从P型半导体层表面延伸到N型半导体层表面或延伸到N型半导体层中；P型欧姆接触层，形...

本实用新型涉及一种集成阵列封装式植物生长灯单元、器件及其植物生长灯，该植物生长灯单元包括一颗或两颗以上的蓝光LED倒装芯片、电极层、导热板、红光荧光转换层及透明导光层，各个所述蓝光LED倒装芯片均匀分布在所述电极层上，所述电极层设置在所...

本发明涉及一种氮化物LED垂直芯片结构及其制备方法，包括n型电极、氮化物LED外延片结构及p型电极；所述n型电极位于所述氮化物LED外延片结构的下方，且附着在所述氮化物LED外延片结构上，所述p型电极位于所述氮化物LED外延片结构的上方...

本实用新型涉及一种表贴器件形式的植物生长灯单元、器件及其植物生长灯，所述蓝光LED倒装芯片被共晶键合于所述第一铜电极层上及所述第二铜电极层上，所述第一绝缘层均与所述第一铜电极层及所述第二铜电极层相连接，所述表贴发光层将所述蓝光LED倒装...

本发明涉及一种使用复合衬底的氮化物LED外延片结构及其制备方法，包括复合衬底、一层以上的二维衍生膜及氮化物外延层；所述二维衍生膜位于所述复合衬底及所述氮化物外延层之间，且所述二维衍生膜附着在所述复合衬底上，所述氮化物外延层附着在所述二维...

本发明涉及一种基于铜衬底的氮化物LED垂直芯片及其制备方法，包括n型电极、二维衍生膜、氮化物外延层和p型电极，所述二维衍生膜附着在所述n型电极上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上，所述p型电极附着在所述氮化物外延层上。在制备完成基...

本发明涉及一种基于铜衬底的氮化物LED外延片结构及其制备方法，包括铜衬底、二维衍生膜及氮化物外延层，所述二维衍生膜位于所述铜衬底及所述氮化物外延层之间，且所述二维衍生膜附着在所述铜衬底的表面上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上。制...

本实用新型涉及一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，包括n型电极、氮化物外延层和p型电极，所述n型电极附着在所述氮化物外延层上，所述氮化物外延层附着在所述p型电极上；其中，所述氮化物外延层为基于SiC衬底的氮化物LED外延片中的...

本实用新型涉及一种制作氮化物外延层、自支撑衬底与器件的晶圆结构，包括：初始衬底、设在初始衬底表面的氧化物牺牲层和设在氧化物牺牲层表面的氮化物外延层。本新型提供的晶圆结构新颖，采用的牺牲层材料为即具有类纤锌矿晶体结构的氧化物，所选用的氧化...

本实用新型涉及一种发光二极管，包括：支撑衬底；非掺杂层，设置在支撑衬底上；N型半导体层，设置在非掺杂层上；量子阱发光层，设置在N型半导体层上；P型半导体层，设置在量子阱发光层上；开槽，从P型半导体层表面延伸到N型半导体层的表面或延伸进N...

本发明涉及一种制作氮化物外延层、衬底与器件晶圆的方法，包括：至少使用一层具有类纤锌矿晶体结构的氧化物薄膜作为牺牲层，来连接氮化物外延层和初始衬底；同时，使用化学剥离的方法来实现氮化物外延层与初始衬底的分离。本发明所选用的氧化物易于在化学...

本发明涉及一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片及其制备方法，包括n型电极、氮化物外延层和p型电极，所述n型电极附着在所述氮化物外延层上，所述氮化物外延层附着在所述p型电极上；其中，所述氮化物外延层为基于SiC衬底的氮化物LED外...

本发明涉及一种使用SiC衬底的氮化物LED外延结构及其制备方法，包括SiC衬底、二维衍生膜及氮化物外延层，所述二维衍生膜位于所述SiC衬底及所述氮化物外延层之间，且所述二维衍生膜附着在所述SiC衬底的表面上，所述氮化物外延层附着在所述二...

本实用新型涉及一种使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，包括SiC衬底、二维衍生膜及氮化物外延层，所述二维衍生膜位于所述SiC衬底及所述氮化物外延层之间，且所述二维衍生膜附着在所述SiC衬底的表面上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜...

本实用新型涉及一种复合衬底以及包括该复合衬底的垂直结构发光二极管。该复合衬底包括半导体部；以及金属部，设置于所述半导体部上，其中所述金属部远离所述半导体部的一侧设置有用于接纳所述发光二极管的发光结构的接纳部，并且所述接纳部的侧壁环绕所述...