本实用新型涉及一种倒装结构发光二极管。该发光二极管包括：半导体发光层；设置于所述半导体发光层一侧的P型电学连接部、N型电学连接部、以及用于电隔离所述P型电学连接部和N型电学连接部的第一绝缘层；与所述P型电学连接部电接触的第一电极；以及与...

一种垂直结构发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括从下至上依次叠加的金属支撑衬底、蓝宝石支撑衬底、非掺杂层、N型半导体层、量子阱发光层和P型半导体层。其结构特点是采用薄蓝宝石支撑衬底，同时经由蓝宝石开孔制作N型欧姆接触层...

一种发光器件的制造方法以及由这种方法制备的发光器件，包括如下步骤：选择衬底，在从所述衬底切割后至形成量子阱有源层之前的任何阶段，在对应发光器件的非发光区域的位置人为形成位错源；然后再外延构成发光器件的其他半导体材料外延层；所述位错源在非...