ASML荷兰有限公司专利技术

ASML荷兰有限公司共有2917项专利

  • 本公开涉及用于使用多束检查装置扫描样品的系统和方法。一种多束工具,包括:束配置系统,包括被配置为生成带电粒子的一次束的带电粒子源、被配置为保持样品的载物台、以及位于带电粒子源与载物台之间配置成将一次束分成束阵列的偏转器系统;其中所述束配...
  • 用于改善图像质量的系统、装置和方法。在一些实施例中,方法可以包括:获取样品区域的多个图像;经由相位多样性分析确定:多个焦点相关值,其中多个焦点相关值中的每个焦点相关值与多个图像中的每个图像相关联;多个图像的最大似然估计;以及基于确定的多...
  • 本公开的实施例涉及半导体检测器及其制造方法。本公开描述了一种用在临界尺寸扫描电子显微镜(CD‑SEM)中且再检测SEM系统的检测器。在一个实施例中,检测器包括具有p‑n结和孔的半导体结构,扫描光束穿过该孔被传送到目标。检测器还包括用于p...
  • 一种用于控制机电系统的控制方法,包括:提供所述机电系统的模型,所述模型包括扰动补偿参数;b)通过以下方式修改所述扰动补偿参数:‑获得所述机电系统的伺服误差;‑获得所述机电系统的设定点,并且基于所述机电系统的包括扰动补偿参数的所述模型以及...
  • 一种光刻设备包括照射系统、投影系统和平台。照射系统照射图案形成装置的图案。投影系统将图案的图像投影到衬底上。平台移动图案形成装置或衬底。平台包括支撑结构、致动器装置、第一、第二和第三致动器目标以及张力性构件。第三致动器目标附接到支撑结构...
  • 提供了用于制造热致动冷却设备的系统、设备以及方法。示例性方法可以包括提供冷却构件。该冷却构件可以包括接触板、从接触板沿第一方向延伸的翅片、以及从接触板沿第二方向延伸的突出部。然后,示例性方法可以包括将突出部安装到极紫外(EUV)辐射源的...
  • 描述了用于产生结构的方法,所述结构包括:在多层叠层结构的第一层中处于第一节距的第一光栅;和在所述多层叠层结构的第二层中处于第二节距的第二光栅,其中,当由入射辐射照射时,来自测量结构的散射辐射在检测器处形成干涉图案,其中,所述干涉图案包括...
  • 披露了用于优化在光刻制造和图案化过程中所使用的源和/或掩模的方法、设备和软件。一种方法包括:确定具有中心遮蔽区(CO)的第一光瞳;基于目标设计和掩模模型确定衍射阶(DO);基于所述DO和所述第一光瞳确定第一衍射图案(DP),所述第一DP...
  • 一种光学布置,其消除了四象限非偏振分束器(QNPBS)的使用和对图像拼接的需要。如同QNPBS一样,光学布置提供增强的透射增益以优化系统生产量。量测系统(600)包括照射模式选择器(IMS),其包括具有透射部分和反射部分的多孔图案。IM...
  • 一种操作激光器的方法,包括:在激光器产生第一脉冲之后,设定激光器中的衰减器的衰减,使得激光器的增益超出激光器的损耗以允许激光器产生第一连续束;在产生第一连续束之后,增大衰减,使得激光器的损耗超出激光器的增益;以及在增大衰减之后,降低衰减...
  • 一种用于扫描电子显微镜(SEM)系统的检测器,包括半导体衬底,以及形成在半导体衬底上的开关网络,该开关网络包括抗辐射NMOS晶体管,该NMOS晶体管包括第一源极/漏极扩散区、第二源极/漏极扩散区,以及在半导体衬底上图案化并环绕第一和第二...
  • 描述了用于确定制造过程中的关注的参数的方法。针对于包括具有第一节距的第一光栅和具有第二节距的第二光栅的测量结构,确定摩尔纹干涉图案分量的灵敏度。相对于制造过程中的关注的参数确定所述灵敏度。基于所述灵敏度来评估用于在测量所述制造过程中的所...
  • 本公开提供一种用于测量污染的装置和方法。所述装置包括:非导电材料的层;半金属的层,所述半金属的层被布置在所述非导电材料的层上;至少一个电极集合,每个电极与所述半金属的层电接触;以及电压或电流的电源,所述电压或电流的电源被连接至所述至少两...
  • 公开了一种优化光刻设备的维修的方法。所述方法包括获得与光刻设备的生产率相关的生产率数据和与维修行动对曝光性能的影响相关的误差指标数据。所述生产率数据和误差指标数据用于确定以下各项中的一项或两项,使得生产率指标的损失被减小或最小化:在对所...
  • 一种冷冻阀包括:阀套,限定与第一流体端口流体连通的轴向孔洞;以及阀体,在被容置在所述轴向孔洞内的轴向封闭端部和与第二流体端口流体连通的轴向开口端之间限定轴向开口。所述阀体包括在所述轴向封闭端部处形成在所述阀体的纵向区段中的一个或多个通孔...
  • 用于测量在由带电粒子束检查装置执行的扫描下的样品的套刻的系统和方法包括:响应于样品的第一目标的第一扫描而获得第一检测器信号,以及响应于样品的第二目标的第二扫描而获得第二检测器信号;通过对第一检测器信号和第二检测器信号执行傅里叶变换来确定...
  • 提供一种表膜隔膜,包括位于基体中的发射晶体,所述基体包括与硅形成具有至少447 kJ mol<supgt;‑1</supgt;的键解离能的化学键的至少一种元素。也提供一种制造这种表膜隔膜的方法、一种包括这种表膜隔膜的表膜组件...
  • 一种高度测量传感器,包括投射单元和检测单元。投射单元包括辐射源和投射光栅,投射光栅包括具有多个光栅线的投射光栅光斑,投射光栅被布置为接收辐射并且将辐射束输出到表面上以产生辐射光斑。检测单元包括:检测光栅,包括具有多个光栅线的检测光栅光斑...
  • 披露了用于多层量测的方法、设备和软件。一种方法包括利用SEM系统获得物体的图像数据,其中,在多个着陆能量水平处获取所述图像数据。通过执行对所述图像数据的逐像素图像处理产生合成图像。从所述合成图像确定量测特性,并且基于所述量测特性对特征执...
  • 用于控制电子束系统中高级电荷控制器模块的束斑的系统和方法。高级电荷控制器模块包括MEMS反射镜,该反射镜被配置为控制和整形射束,以便执行射束对准、增加感兴趣区域的功率密度并实时调制功率密度。
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