安徽安努奇科技有限公司专利技术

安徽安努奇科技有限公司共有119项专利

  • 本发明公开了一种介质滤波器、介质双工器及通信设备。该介质滤波器包括介质本体和至少两个谐振器单元;介质本体包括相对设置的第一电路面和第二电路面;谐振器单元包括至少一个谐振器,谐振器包括开路面和谐振通孔;开路面位于第一电路面或第二电路面,谐...
  • 本发明公开了一种异质集成滤波器及其制作方法,制作方法包括:制作第一声学结构,其中,第一声学结构包括第一重布线层以及依次层叠设置的基底结构、第一电极、压电层、第二电极和盖板结构层;部分第一重布线层位于第一表面上,第一重布线层与第一电极和第...
  • 本发明公开了一种滤波器和多工器。滤波器包括密封结构、连接结构和至少两个谐振器;密封结构围绕至少两个谐振器设置,至少两个谐振器连接于滤波器的端口之间,相互连接的两个谐振器之间具有连接节点,连接结构连接于一连接节点和密封结构之间。本发明通过...
  • 本申请涉及滤波器技术领域,具体涉及一种介质滤波器包括非金属基体;非金属基体上具有第一基准面,第一基准面开设有用于形成谐振腔的第一孔结构;第一孔结构有多个且在第一基准面上沿直线间隔排布;第一基准面上开设有用于形成零点腔的第二孔结构,第二孔...
  • 本发明公开了一种滤波器和多工器。滤波器包括第一端口和第二端口;第一端口和第二端口之间设置有多个串联连接的串联谐振器;滤波器还包括感性元件和多个并联谐振器;并联谐振器与串联节点连接,感性元件与至少部分串联谐振器并联连接,感性元件的两端连接...
  • 本申请公开了一种滤波器及其制备方法,涉及射频技术领域,本申请的滤波器的制备方法,包括:提供玻璃衬底,玻璃衬底包括声学元件区域和电磁元件区域;在声学元件区域内的玻璃衬底上形成凹槽,凹槽内壁形成有保护层;在凹槽内填充牺牲材料,牺牲材料的上表...
  • 本发明提供了一种异质集成滤波器及其制备方法、电子设备,涉及滤波器技术领域,该异质集成滤波器包括:在第一方向上相对设置的第一基板和第二基板;位于所述第一基板面向所述第二基板一侧的声学功能结构,所述声学功能结构包括在所述第一方向上依次层叠设...
  • 本申请公开了一种滤波器封装结构及其封装方法,涉及射频技术领域,本申请的滤波器封装结构,包括基底以及与基底扣合的罩盖,基底上形成有声学组件和调节元件,调节元件包括电容或者电感中的至少一种,罩盖至少罩设声学组件,基底和罩盖通过有机封装材料封...
  • 本发明公开了一种滤波器和多工器。滤波器包括密封结构、去耦网络和至少两个谐振器,密封结构围绕至少两个谐振器设置,并接地;去耦网络连接于谐振器和地之间,至少两个谐振器连接于滤波器的第一端口和第二端口之间;谐振器与地之间具有耦合网络;在同一频...
  • 本发明公开了一种滤波器和多工器,该滤波器包括第一端口、第二端口和至少一个滤波单元;滤波单元包括谐振器、移相器和调节模块;谐振器和调节模块串联连接于第一端口和第二端口之间;调节模块用于调节谐振器的频谱特性,以在通带高频侧的邻带内产生至少两...
  • 本申请公开了一种滤波器及其制备方法,涉及射频技术领域,本申请的滤波器,包括相互扣合的基板和盖板,基板靠近盖板的一侧设置声学组件,盖板内形成多个导电柱,盖板靠近基板的一侧形成第一线路层,盖板的另一侧形成第二线路层,其中,导电柱包括第一导电...
  • 本发明提供了一种异质集成滤波器的制备方法、电子设备,涉及滤波器技术领域,该异质集成滤波器的制备方法在制备完声学功能结构的上电极层之后且在进一步制备后续膜层之前,测量声学功能结构在所述第一方向上的整体厚度,将整体厚度换算成对应的频率参数,...
  • 本申请提供了一种声波谐振器与射频设备,涉及谐振器技术领域。该声波谐振器包括压电薄膜与多个金属电极,多个金属电极中包括阴极与阳极,每个金属电极均包括连接部,且至少一种极性的金属电极包括盖帽部;连接部的一端安装于压电薄膜上,连接部的另一端与...
  • 本发明公开了一种介质滤波器和多工器,该介质滤波器包括,介质体、多腔体介质谐振器、信号输入端口、信号输出端口和阶梯阻抗谐振器;阶梯阻抗谐振器包括高阻抗线和低阻抗线,高阻抗线的第一端接地,高阻抗线的第二端与低阻抗线的第一端连接,低阻抗线的第...
  • 本发明提供了一种声表面波谐振器及其机电耦合系数的调节方法,涉及半导体技术领域,所述声表面波谐振器包括衬底、压电层、叉指电极和介质层,声表面波谐振器的机电耦合系数的调节方法包括调节叉指电极的波长λ与压电层在第一方向上的厚度之间的比值,相当...
  • 本发明提出一种带通滤波电路及电子设备,带通滤波电路包括至少一个滤波单元,第1个高频网络的输入端作为滤波单元的输入端,第N个高频网络的输出端作为滤波单元的输出端;第i个低频网络的输入端连接于第i个高频网络的输入端;第k个高频网络的输入端连...
  • 本申请公开了一种电容晶圆及其制备方法、半导体器件,涉及半导体工艺领域,首次形成的介电层的最小厚度大于目标厚度范围的下限,之后对介电层厚度进行优化达到所需的性能指标,即先形成稍偏厚的介电层,再将介电层减薄到目标厚度范围内对介电层的厚度均匀...
  • 本申请提供了一种异质集成滤波器的制造方法及异质集成滤波器,涉及滤波器技术领域。该异质集成滤波器的制造方法包括:在衬底上设置电容;在衬底上设置声学器件;将声学器件与电容电连接;在声学器件和/或电容上设置电感;沿衬底的厚度方向,在声学器件的...
  • 本申请公开了一种滤波器及其制备方法,涉及射频微机电器件技术领域,本申请的滤波器,包括衬底,衬底上设置有谐振组件,谐振组件包括依次设置的第一下电极、压电层和第一上电极,压电层的上表面向下凹陷形成安置槽,第一上电极包括导电片和环翼,导电片位...
  • 本申请提供一种滤波电路和滤波器。在该滤波电路中,由该滤波电路的等效电路可知,每个第一串联谐振电路的两端均并联有电容支路、每个第一并联谐振电路均串联有电容支路,再加上该滤波电路包括至少两个第一串联谐振电路和至少一个第一并联谐振电路,因此可...