本实用新型公开了一种压电谐振器，该压电谐振器包括：单晶压电材料层；形成于所述单晶压电材料层一侧表面的多晶压电材料层；形成于所述多晶压电材料层远离所述单晶压电材料层一侧表面的第一电极；形成于所述单晶压电材料层远离所述多晶压电材料层一侧表面...

本实用新型公开了一种芯片级封装结构。所述芯片级封装结构包括：衬底；形成于所述衬底第一表面上的集成电路，所述集成电路包括一个或多个电子元器件以及金属互联层；形成于所述衬底除所述第一表面外的其他表面上的屏蔽金属层，所述屏蔽金属层与所述金属互...

本发明公开了一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器，其制备方法包括：在第一衬底上形成单晶压电材料层；在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层。本发明实施例通过提供一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器，解决了生长较厚...

本发明公开了一种芯片级封装结构及其制备方法。所述芯片级封装结构的制备方法包括：在衬底上形成多个集成电路，集成电路包括一个或多个电子元器件以及金属互联层；在衬底远离集成电路的一侧切割衬底以划分多个集成电路；在衬底远离集成电路的一侧形成屏蔽...