一种半导体存储装置包括：多个字线，所述多个字线中的每个连接至多个存储器单元；行控制单元，适于在目标激活模式期间顺序地激活和预充电对应于目标地址的字线和预定（N）数目个相邻字线；以及模式退出控制单元，适于在目标激活模式期间对由行控制单元进...

本发明公开了一种嵌入式封装体及其制造方法。该嵌入式封装体包括：芯片，附着至核心层的第一表面；多个凸块，在芯片的与核心层相反的表面上；及第一绝缘层，包围核心层、芯片及多个凸块。第一绝缘层具有设置在部分的第一绝缘层中以露出多个凸块的沟槽。

提供一种可变电阻存储器件及其制造方法。所述可变电阻存储器件包括：多层绝缘层，形成在形成有下电极的半导体衬底上，并且包括直径在第一高度或更高处增大的多个孔；可变电阻材料层，形成在下电极上至每个孔的第二高度；以及上电极，形成在可变电阻材料层...

提供了一种半导体集成电路装置及其制造方法。所述半导体集成电路装置包括：半导体衬底，具有有源岛；栅极，掩埋在有源岛的预定部分中；源极和漏极，形成在栅极的两侧；以及电流阻挡层，在有源岛中与所述漏极的下部相对应而形成。当电流从漏极流入时，电流...

一种半导体存储器件包括：存储器单元；页缓冲器，所述页缓冲器包括第一开关器件和第二开关器件以及第一感测锁存单元和第二感测锁存单元，第一开关器件和第二开关器件共同耦接到经由位线与存储器单元耦接的感测节点，第一感测锁存单元和第二感测锁存单元分...

一种半导体器件，包括：错误检测单元，所述错误检测单元适用于接收数据和循环冗余校验CRC码，并且通过检测数据的传输错误来输出检测信号；以及信号改变单元，适用于基于检测信号来产生错误信息，同时基于数据的信号传输环境来改变错误信息的信号形式。

本发明提供柔性层叠封装体。柔性层叠封装体包括顺序层叠的第一单元封装体和第二单元封装体。第一单元封装体和第二单元封装体中的每个具有固定区和浮动区。第一单元封装体的固定区通过固定部而连接且固定至第二单元封装体的固定区。

提供一种半导体装置，包括经由电耦接单元而耦接的多个半导体芯片。每个半导体芯片包括：芯片ID信号发生单元，被配置成产生芯片ID信号；以及芯片使能信号发生单元，被配置成响应于芯片ID信号而接收时钟使能信号，其中，半导体芯片中的一个与其它半导...

一种半导体器件，包括：熔丝阵列，用于经由编程操作来储存正常熔丝数据和模式数据；启动控制单元，适用于产生用于将模式数据的输出使能的使能信号；以及模式检测单元，适用于响应于所述使能信号而检测所述模式数据的模式并且产生检测信号。熔丝阵列响应于...

一种非易失性存储器件可以包括形成在衬底之上的控制插塞。浮栅可以形成在衬底之上，浮栅包围控制插塞且通过间隙与控制插塞间隔开。第一电荷阻挡层可以形成在上述浮栅的侧壁上以填充上述间隙。

提供了一种3D半导体器件及其制造方法。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成包括公共源极节点的第一半导体层；在第一半导体层上形成晶体管区，其中，晶体管区包括与半导体衬底的表面大体平行的水平沟道区、和从水平沟道区向与半导体衬底的表面大体...

一种半导体器件，包括：第一裸片；第二裸片，经由穿硅通孔TSV与第一裸片耦接；以及测试电路，适用于通过控制流经TSV的电流量来测量TSV的电阻。

一种存储系统、半导体存储器件及其操作方法可以在执行读取操作时基于储存在标志寄存器中的标志数据来执行读取操作，而不读取储存在存储器阵列中的标志数据，使得可以减少读取操作所花费的时间。

一种半导体器件，包括：模式寄存器配置，适用于产生第一内部控制信号和第二内部控制信号；按DRAM寻址PDA驱动单元，适用于响应于第一内部控制信号和经由数据焊盘输入的数据的输入值而复位模式寄存器配置；以及循环冗余校验CRC驱动单元，适用于响...

本发明提供一种封装基板。所述封装基板包括：核心层，具有限定沟槽部和在沟槽部之间的脊状部的第一表面；至少一个第一迹线，在每个沟槽部的底表面上；以及第二迹线，在脊状部的各个顶表面上。本发明也提供了相关的方法。

一种非易失性存储器件包括第一存储块至第N存储块，其中N为整数且N≥3。该第一存储块至第N存储块中的每一存储块包括：第一存储串至第M-1存储串，其中该第一存储串至第M-1存储串中的每一存储串包括漏极侧存储器单元、源极侧存储器单元、以及连接...

公开了一种隔离结构及其形成方法。隔离结构包括：第一隔离结构，具有形成在衬底中的沟槽内的绝缘层；以及第二隔离结构，形成在第一隔离结构上。第二隔离结构包括：形成在衬底中的第一杂质区，第一杂质区具有第一杂质掺杂浓度；以及第二杂质区，形成为围绕...

一种存储器可以包括：第一单元阵列至第N单元阵列，被配置成包括多个存储器单元；以及一个或更多个第一数据输入/输出焊盘至第N数据输入/输出焊盘，分别与第一单元阵列至第N单元阵列相对应，其中，所述一个或更多个第一数据输入/输出焊盘至第N数据输...

本发明公开一种能够并行地执行存储操作的非易失性存储装置和操作所述非易失性存储装置的方法以及包括所述非易失性存储装置的系统。所述非易失性存储系统可包括：存储器控制器，适于控制存储器；以及存储器，适于响应于来自存储器控制器的命令而执行读取和...

一种半导体装置包括芯片ID发生单元，芯片ID传输单元以及芯片层叠信息发生单元。芯片ID发生单元配置为产生芯片ID信号。芯片ID传输单元配置为基于其是否与另一芯片电耦合而将芯片ID信号输出至公共线。芯片层叠信息发生单元配置为响应于芯片ID...