本发明公开一种存储器件，其包括：单元阵列，其具有多个字线；地址计数单元，其适合于产生每当刷新该多个字线中的一个或多个时改变的计数地址；以及控制单元，其适合于：在该多个字线当中选择对应于该计数地址的字线，且在第一操作模式期间响应于刷新命令...

一种存储系统包括：控制器，适用于提供要写入存储器单元阵列的数据、以及用于指示所述数据是否具有预设数据模式的控制数据；以及存储器件，适用于响应于控制数据而选择性地将模式数据或控制器提供的数据写入存储器单元阵列，其中，模式数据储存在存储器件...

本发明包括错误运算单元，所述错误运算单元配置成响应于多个控制信号、多个向量、以及数据而输出错误检测码；向量储存单元，所述向量储存单元配置成储存所述多个向量；以及向量开关单元，所述向量开关单元配置成响应于所述多个控制信号而提供所述多个向量...

一种保护电路包括：高压检测单元，被配置成在第一电压超过预定电压时激活高压检测信号；以及放电单元，响应于高压检测信号而与第一电压耦接，并且被配置成响应于通过降低第一电压而获得的电压电平来将第一电压放电至接地电压。

一种半导体器件包括：多个第一导电结构，其形成在衬底之上；第二导电结构，每个形成在第一导电结构中的相邻的第一导电结构之间；气隙，每个形成在第二导电结构与第二导电结构的相邻的第一导电结构之间；第三导电结构，每个覆盖气隙的一部分；以及覆盖结构...

一种半导体装置包括：第一通孔和第二通孔、第一路径设定单元以及第二路径设定单元。第一通孔和第二通孔将第一芯片和第二芯片连接。第一路径设定单元将第一芯片电路与第一输入/输出端子连接，以及将第二通孔与第二输入/输出端子连接。第二路径设定单元将...

提供了层叠封装体。所述层叠封装体包括第一芯片和第二芯片。第一芯片包括：第一芯片本体、穿过第一芯片本体的第一穿通电极、以及设置在第一芯片本体的底表面上的绝缘层。第二芯片包括：第二芯片本体和设置在第二芯片本体的顶表面上的凸块。第一芯片和第二...

提供了一种包括阻变存储器单元的非易失性存储器件和利用所述非易失性存储器件的半导体系统，所述非易失性存储器件能利用多个存储器单元的电阻值来设定参考电阻值。所述非易失性存储器件包括：一个或更多个列线；两个或更多个行线；多个存储器单元，被配置...

一种半导体器件，包括：命令组合电路，适用于产生与写入命令和内部写入命令同步地驱动的组合电平信号；以及列选择电路，所述列选择电路适用于产生脉冲信号和列选择信号，所述脉冲信号包括在组合电平信号的电平转换时刻产生的脉冲。

提供了一种3D半导体器件及其制造方法。所述3D半导体器件包括：半导体衬底；绝缘层，其形成在半导体衬底上；有源线，其形成在绝缘层上，包括源极区和漏极区；栅电极，其位于有源线的与源极区和漏极区之间的区域相对应的部分上，并且向与有源线大体垂直...

一种层叠式半导体装置包括：主裸片、多个从裸片和垂直内插器。所述垂直内插器垂直地层叠在主裸片上。

本发明公开一种包括多层栅极的半导体器件、电子器件及其形成方法，该半导体器件形成为具有不同功函数的多个层的叠层结构。

一种半导体器件包括：列命令发生单元，适用于响应于第一控制信号和源命令而从源命令产生被延迟了第一延迟时间的列命令；存储体地址发生单元，适用于响应于第一控制信号和存储体源地址而从存储体源地址产生被延迟了第一延迟时间的存储体地址；预充电命令发...

提供了一种阻变存储器件及其制造方法。所述阻变存储器件包括：多层式绝缘层，包括形成在半导体衬底上的多个孔；下电极，形成在每个孔的底部；第一间隔件，形成在下电极和每个孔的侧壁上；第二间隔件，形成在第一间隔件的上侧壁上；第三间隔件，在第二间隔...

一种半导体器件，包括：加电信号发生单元，其适于接收第一电源电压和比第一电源电压更高的第二电源电压，并且在第一电源电压和第二电源电压增加以分别达到目标电平时产生加电信号；电压电平调整单元，其适于通过调整第二电源电压的电压电平来产生第三电源...

本发明涉及一种半导体芯片和具有该半导体芯片的层叠型半导体封装。该半导体芯片包含：半导体芯片体，其具有形成有多个接合焊垫的第一表面和与该第一表面相对的第二表面；多个第一和第二贯穿电极，其通过该半导体芯片体且其一端部与各接合焊垫电连接；绝缘...

提供了一种时钟延迟检测电路以及利用时钟延迟检测电路的半导体装置，时钟延迟检测电路能产生周期是时钟的延迟时间的周期信号、划分周期信号以及对划分的周期信号计数。时钟延迟检测电路包括：周期信号发生单元，被配置成产生计数控制信号；周期信号划分单...

本发明提供一种可以改善半导体系统的修复能力的半导体系统及其修复方法。所述半导体系统包括：半导体电路，被配置成响应于外部命令而输出剩余修复信息，并且执行修复操作；以及主机，被配置成基于剩余修复信息来确定可用修复的数目，并且基于可用修复的数...

一种半导体器件包括：流水线锁存器单元，其包括多个写入流水线并且适用于锁存数据；以及控制单元，适用于基于空闲信号来控制写入流水线中的至少一个写入流水线。

提出了一种具有多电平的相变存储器设备及其驱动方法。所公开的相变存储器设备包括单元阵列，该单元阵列包括多个存储器单元,其中存储器单元包括：第一开关元件，其连接到第一字线；第二开关元件，其连接在第一开关元件和第二字线之间；以及可变电阻器，其...