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本发明提供一种聚酰亚胺薄膜，它是由式（I）所示结构的聚酰胺酸形成聚酰胺酸薄膜后，经亚胺化得到的高介电常数的聚酰亚胺薄膜；其结构如下式(III)所示：其中，R1是含芳环的二酐残基；R2是含芳环的二胺残基；Pn是聚苯胺的链段结构；n是聚合物重复...
该专利属于深圳市惠程电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市惠程电气股份有限公司授权不得商用。

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