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本发明是一种N源间隔供源制备的氮化物单晶薄膜及方法,其结构是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层;在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜,其制备方法,包括如下工艺步骤:1)单晶衬底放入反应室,高温烘烤;2)在单晶衬底上制备Al浸润层;3)在浸润...该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。
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本发明是一种N源间隔供源制备的氮化物单晶薄膜及方法,其结构是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层;在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜,其制备方法,包括如下工艺步骤:1)单晶衬底放入反应室,高温烘烤;2)在单晶衬底上制备Al浸润层;3)在浸润...