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一种单电源供电抑制IGBT米勒电容效应的电路制造技术
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文档序号:9885847
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本发明公开了一种单电源供电抑制IGBT米勒电容效应的电路,包括IGBT驱动部分的单电源供电系统(1)、抑制IGBT米勒电容效应的MOSFET钳位电路拓扑结构(2),所述MOSFET钳位电路拓扑结构(2)包括第一N沟道MOSFET管(Q1)、...
该专利属于北京阿启蒙技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京阿启蒙技术有限公司授权不得商用。
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