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本发明公开了晶体管、半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上方形成晶体管。该晶体管包括牺牲栅极材料，该牺牲栅极材料包括III-V族材料。该方法包括将金属(Me)与牺牲栅极材料的III-V族材料相结合从而形成包...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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