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一种电容式Si基辐射探测器件及其制备方法，该器件包括Si衬底层，Si衬底层的上方设有埋氧层，埋氧层上从中心向四周依次设有金属填充区、栅介质区、Si薄膜层、欧姆接触注入区和氧化隔离层，欧姆接触注入区的上方设有欧姆接触区，金属填充区的上方设有栅...该专利属于中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所授权不得商用。