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一种晶硅太阳能电池新型正面电极制造技术
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文档序号:9851241
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本发明涉及晶硅太阳能电池领域,特别涉及一种晶硅太阳能电池新型正面电极。该晶硅太阳能电池新型正面电极,其特征是:所述新型正面电极位于晶硅电池n型面的刻槽内,为Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极,以铜为基质,银与镍等作为添加元素,所述刻槽宽度d...
该专利属于秦广飞所有,仅供学习研究参考,未经过秦广飞授权不得商用。
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