下载一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法的技术资料

文档序号:9845706

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法,主要包括硅或SOI衬底和n型及p型高迁移率材料的无转移集成,设计三维多层高迁移率材料的结构及其外延生长,制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列,得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。