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本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法,主要包括硅或SOI衬底和n型及p型高迁移率材料的无转移集成,设计三维多层高迁移率材料的结构及其外延生长,制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列,得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法,主要包括硅或SOI衬底和n型及p型高迁移率材料的无转移集成,设计三维多层高迁移率材料的结构及其外延生长,制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列,得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够...