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一种双重图形化膜层的方法,双重图形化膜层后形成的图形呈长条状结构,包括:提供基底,所述基底上形成有膜层;在所述膜层上形成具有第一图形的第一掩膜层,所述第一图形在长度方向定义出待形成的相邻两个长条状结构之间的距离;形成填充层,填充所述第一图形...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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