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本发明公开了一种含有II型异质结窗口层的太阳电池，该太阳电池，采用能与发射区材料形成II型异质结的半导体材料作为宽带隙太阳电池的窗口层。窗口层采用n型的GaAsP，窗口层厚度为10~50nm。发射区采用n型AlGaInP，发射区厚度为40~...
该专利属于上海空间电源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海空间电源研究所授权不得商用。

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