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本发明公开了一种晶片的单片清洗方法,该方法包括:用极性气体分子对经过干蚀刻的晶片进行等离子体处理,增高晶片表面的极性,以将晶片的表面由疏水性转变为亲水性;以及对晶片进行湿法清洗。由于使用本发明的晶片的单片清洗方法,晶片能够被液体非常良好地覆...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种晶片的单片清洗方法,该方法包括:用极性气体分子对经过干蚀刻的晶片进行等离子体处理,增高晶片表面的极性,以将晶片的表面由疏水性转变为亲水性;以及对晶片进行湿法清洗。由于使用本发明的晶片的单片清洗方法,晶片能够被液体非常良好地覆...