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本发明涉及制备晶体硅太阳能电池的方法，1）先实施P型掺杂即硼掺杂：采用离子注入在硅片的某个表面或某些区域实施硼掺杂；2）对硼掺杂进行高温退火，进行掺杂再分布并在降温过程中进行N型掺杂，经过一次退火工艺实现P型和N型的优化掺杂分布：硼掺杂后硅...
该专利属于中电电气（南京）光伏有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电电气（南京）光伏有限公司授权不得商用。

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