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本发明公开了一种基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器的制备方法,包括以下步骤:以石英片作为衬底,在石英片正面磁控溅射淀积一层Si3N4薄膜;在Si3N4薄膜上涂一层光刻胶,以电极图形作为掩膜板,紫外光曝光后除掉曝光的光刻胶;在处理后的石...该专利属于广州中国科学院先进技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过广州中国科学院先进技术研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器的制备方法,包括以下步骤:以石英片作为衬底,在石英片正面磁控溅射淀积一层Si3N4薄膜;在Si3N4薄膜上涂一层光刻胶,以电极图形作为掩膜板,紫外光曝光后除掉曝光的光刻胶;在处理后的石...