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本实用新型的名称为一种半导体器件阴极结构。属于半导体器件技术领域。它主要是解决现有半导体器件阴极因放大门极渐开线指条太长而存在di/dt耐量低、门极控制开通均匀性差等缺点。它的主要特征是：所述的放大门极延长线指条包括呈辐射状均匀分布的直线型...
该专利属于湖北台基半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北台基半导体股份有限公司授权不得商用。

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