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本公开大体涉及具有金属纳米粒子单层的设备和用于制造该设备的方法。金属纳米粒子以超高密度形成单层，其中每个相邻的金属纳米粒子之间的平均距离小于或等于大约3纳米。纳米粒子单层可以自组装在衬底上以便于调控器件的阈值电压偏移。...
该专利属于香港城市大学所有，仅供学习研究参考，未经过香港城市大学授权不得商用。

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