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本发明提供一种MOS器件、一种MOS器件的制作方法和两种CMOS器件的制作方法。所述MOS器件的制作方法包括：提供衬底，衬底上包括多晶硅栅；在衬底和多晶硅栅上依次形成中间层、隔离层和第一层间介质层；使第一层间介质层的上表面与隔离层的上表面齐...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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