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本发明涉及半导体器件领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明中，绝缘栅双极型晶体管包括至少一个元胞，每个元胞包括位于第一半导体类型基底中的第二半导体类型阱、沟槽型栅极和隔离沟槽；位于基底中的沟槽型栅极包括第一绝缘介质层和位于该...
该专利属于上海北车永电电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海北车永电电子科技有限公司授权不得商用。

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