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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括一MOS晶体管及一反熔丝元件，其中，MOS晶体管包括在半导体衬底中形成第一导电类型的第一阱区、第二导电类型的第二阱区和第一导电类型的源极区，MOS晶体管的栅极结构位于第一阱区与第二阱区...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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