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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一类型半导体层，所述第一类型半导体层被掺杂有N型离子；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层被形成在第一类型半导体层之上；以及硅锗SiGe层，所述硅锗SiGe层被形成在第二类型半导体...
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