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本发明涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明提供一种多个半导体元件分别具有所期望的特性且可靠性高的半导体装置、以及可容易地制造该半导体装置的半导体装置的制造方法。在栅极绝缘膜6的上表面上，遍及整个表面形成厚度为3～30nm的栅电极...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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