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本发明涉及一种监控集成电路制造中离子注入工艺的方法，所述方法包括以下步骤：提供一需要进行离子注入工艺的半导体衬底和该离子注入工艺所允许形成的非晶层的厚度值范围；对上述的半导体衬底进行所述离子注入工艺后，于所述半导体衬底上形成器件区域和测试区...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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