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本发明公开了一种深槽型的超级结半导体器件的元胞结构和工艺实现方法，包括第一类型的重掺杂区，其上有第一类型外延漂移区；所述外延漂移区内的两侧有第二类型的外延柱区；第二类型的外延柱区之间有栅极沟槽；所述沟槽内部是栅极多晶硅和电介质隔离层；在所述...该专利属于上海恺创电子有限公司;北京希格玛和芯微电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海恺创电子有限公司;北京希格玛和芯微电子技术有限公司授权不得商用。