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本实用新型涉及无线通信技术领域，公开了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器采用共源共栅结构，包括一个跟随电容，所述跟随电容的两端分别连接共源结构MOS管的栅极和地。本实用新型通过在共源结构MOS管的栅极和参考地之间设置一个跟随电容，并折中优化...
该专利属于锐迪科创微电子（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过锐迪科创微电子（北京）有限公司授权不得商用。

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