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本发明公开了一种薄膜晶体管，包括栅极、半导体层和绝缘层，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层，所述第一绝缘层由第一氧化硅薄膜和第二氧化硅薄膜组成，所述第二氧化硅薄膜与所述半导体层直接接触；其中，所述第二氧化硅薄膜的致密性大于所述第一氧化硅薄...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。

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