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本发明涉及一种半导体结构，其包括：一第一半导体层；一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的一表面；以及一金属陶瓷层，其设置于所述第二半导体层远离第一半导体层的表面并接触设置。所述半导体结构在应用中具有良好的发光效果。...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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