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本实用新型公开了一种沟槽式场效应管，包括P型注入区以及覆盖其上表面的N型外延层，所述N型外延层设有多个P型阱和沟槽，每个P型阱的顶部设有N型有源区，所述P型阱及N型有源区均与沟槽相邻，所述沟槽包括多晶硅栅和栅氧化层，所述多晶硅栅与栅氧化层邻...
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