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本实用新型公开了一种二阶补偿基准电压产生电路，本实用新型基于SiGeBiCMOS工艺，通过对传统帯隙基准PTAT电流进行镜像复制，利用SiGeBiCMOS工艺中的NPN晶体管组成的PTAT电流平方生成电路产生与温度平方成比例的电流来补偿VB...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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