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本发明的目的在于公开一种BCD工艺下的ESD器件结构，它包括ESD?NMOS单元，所述ESD?NMOS单元上设置有P型有源注入区和N型有源注入区，所述P型有源注入区上连接有VSS端，所述N型有源注入区上连接有源极端或者漏极端，所述漏极端的N...
该专利属于上海腾怡半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海腾怡半导体有限公司授权不得商用。

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