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本发明提供一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底之上形成多个位线结构；在位线结构之上形成彼此之间插入有覆盖层的多层间隔件层；通过选择性刻蚀间隔件层来暴露出衬底的表面；通过选择性刻蚀覆盖层来形成气隙和用于覆盖气隙的上部的覆盖间隔件；以及...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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