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本发明涉及一种晶圆级高密度布线的简易制备方法，属于半导体封装技术领域。其包括以下工艺过程：提供硅晶圆（100），所述硅晶圆（100）的表面形成电镀种子层（200）和电镀种子层（200）表面的布线A（310），相邻的所述布线A（310）之间设...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

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