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公开了在绝缘体上硅结构的处理晶片中具有高电阻率区域的绝缘体上硅结构。还提供了用于制造此类绝缘体上硅结构的方法。示例性方法包括产生处理晶片的非均匀热施主分布和/或修改掺杂剂分布以在处理晶片中产生新的电阻率分布。这些方法可以包括一个或多个SOI...
该专利属于MEMC电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过MEMC电子材料有限公司授权不得商用。

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