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本发明公开了一种低栅极电荷沟槽功率MOS器件，其是在硅衬底上水平排布两沟槽，屏蔽栅导电多晶硅淀积在沟槽内底部，栅极导电多晶硅位于沟槽内屏蔽栅导电多晶硅的上方，屏蔽栅导电多晶硅从位于栅极导电多晶硅中的深孔引出，将现有器件的垂直控制栅、屏蔽栅极...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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