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本发明主要涉及功率半导体整流器，更确切地说，是设计一种超势垒整流器及提供制备超势垒整流器的优化方法。在半导体衬底中制备沟槽式的SBR器件，具有与MOS管并联的PN结，势垒MOS管的阈值电压比常规PN结的势垒电压低，SBR正向导通的电压低于常...
该专利属于中航（重庆）微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中航（重庆）微电子有限公司授权不得商用。

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