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本发明涉及形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备的方法及对应的半导体设备，所述形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备是通过：形成柵极电极结构于半导体基板上，形成在该柵极电极结构旁边的第一间隔体结构，在该柵极电极结构两侧形成于该半导体基板的暴...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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