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本发明涉及电子器件领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。本发明中，在绝缘栅双极型晶体管IGBT中，第一掺杂区作为超结，沟道区与第二掺杂区形成内置的快速恢复二极管，结合了超结MOS和逆导IGBT的优点，可以有效减小IGBT的饱和压降...
该专利属于上海北车永电电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海北车永电电子科技有限公司授权不得商用。

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