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本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片用衬底，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述蓝宝石衬底层（1）为图形衬底，蓝宝石衬底层（1）上阵列式分布有...
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